تاثیر پخت بر ساختار بلوری لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) تهیه شده به روش کندوپاش
دسته | کانی شناسی |
---|---|
گروه | سازمان زمین شناسی و اکتشافات معدنی کشور |
مکان برگزاری | بیست و نهمین گردهمایی علوم زمین |
تاريخ برگزاری | ۲۶ فروردین ۱۳۸۷ |
نویسندهگان:
[ نگین معنوی زاده ] - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
[ محمدهادی ملکی ] - پژوهشکده لیزر و اپتیک، سازمان انرژی اتمی ایران
[ محمدهادی ملکی ] - پژوهشکده لیزر و اپتیک، سازمان انرژی اتمی ایران
خلاصه مقاله:
لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) بر روی زیر لایه های شیشه ای به شیوه کندوپاش RF و با استفاده از هدف سرامیکی (In2O3-SnO2, 90-10wt.%) ITO لایه نشانی شده، سپس عملیات پخت بعد از انجام لایه نشانی، در محیط خلا در دماهای مختلف انجام گرفته است. تغییر ساختاری بلوری این لایه ها در دماهای مختلف و تاثیر آن بر خواص الکتریکی و اپتیکی این لایه ها مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار کریستالی، مشخصه های الکتریکی و اپتیکی این لایه های نازک به ترتیب توسط انالیزهای XRD مقاومت چهارپروبی و طیف سنجی UV/VIS/IR بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دمای پخت در خلاء ساختار کریستالی لایه ها تغییر کرده و به دنبال آن مقاومت الکتریکی و شفافیت لایه بهبود می یابد.